TEC Diapo

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC canal N p G Grille canal N Source D Drain Sni* to View D Symbole : Canal N Substrat N : semi-conducteur de type Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en Inverse. de fonctionnement : VDS ID VGS IDSS VP < VGS < VGS -vp VDS =-vp +VGS VP < VES < Canal Initialement rédult. VDS positive :VDS =VDG VGS > O n -VGD+VGS > on VGS > VGD :

Canal réduit du coté Drain : ID est VDS proche de VDSat :Canal incé uniquement dulinéaire coté Zone de PAG » OF d Vds gm L OVGS VDS n cte IICIID rds I DSS D repos VGSLtte épaisseur faible : conduction se fait en surface. TRANSISTOR MOS MOS A CANAL N INDUIT : Au départ VGS > Cl un mince canal N se forme. isolant BULK/BOD VDS légèrement >0canaI proportionnelle ? (Zone ohmique) VDS plus MOS à enrichissement Induit reste régulier . ID est